硅衬底超精密CMP中抛光液的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 钟旻 ; 张楷亮 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | 化学机械抛光 胶体SiO2 抛光速率 抛光液 |
| 中文摘要 | 化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化试验获得了高速率、高平整的抛光表面:去除速率(RR)达697nm/min,粗糙度RMS降低至4.516(A),在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197098.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55864]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟旻,张楷亮,宋志棠,等. 硅衬底超精密CMP中抛光液的研究[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197098.aspx. |
入库方式： OAI收割
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