采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI SRAM单元
文献类型：会议论文
| 作者 | 郭天雷 ; 韩郑生 ; 张正选 ; 张恩霞 ; 愈文杰 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | 静态存储器 单粒子辐照 去耦电阻 |
| 中文摘要 | 本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197073.aspx |
| 会议录 | 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55868]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭天雷,韩郑生,张正选,等. 采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI SRAM单元[C]. 见:第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197073.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。