MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 董明礼 ; 曲轶 ; 艾立昆 ; 李银柱 ; 李玉英 ; 袁俊 ; 何江玲 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第八届真空技术应用学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | MBE 应变量子阱 半导体激光器 |
| 中文摘要 | 本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、生长时间和Ⅴ-Ⅲ族束流比等关键因素的优化设计,获得了高质量的外延材料.并成功研制出940nm应变量子阱半导体激光器在条宽100μm,腔长800μm时,阈值电流为0.41A,输出功率可达1W. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6106999.aspx |
| 会议录 | 第八届真空技术应用学术年会论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55906]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董明礼,曲轶,艾立昆,等. MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究[C]. 见:第八届真空技术应用学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6106999.aspx. |
入库方式： OAI收割
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