氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 张恩霞 ; 钱聪 ; 张正选 ; 王曦 ; 张国强 ; 李宁 ; 郑中山 ; 刘忠立 |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 |
| 会议日期 | 2004 |
| 关键词 | 氧氮共注 离子注入 辐照加固 半导体器件 |
| 中文摘要 | 本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO<,2>/Si界面处;为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在SIMOX和不同方法制作的SIMON材料上制作了NMOS场效应晶体管,并测试了辐射前后的转移特性. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5904318.aspx |
| 会议录 | 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55910]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩霞,钱聪,张正选,等. 氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究[C]. 见:上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5904318.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。