SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
文献类型：会议论文
| 作者 | 朱鸣 ; 林青 ; 张正选 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 |
| 会议日期 | 2004 |
| 关键词 | 半导体器件 体硅材料 浮体效应 SOI电路 SiGe源结构 |
| 中文摘要 | 本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5904315.aspx |
| 会议录 | 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55914]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱鸣,林青,张正选,等. SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析[C]. 见:上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5904315.aspx. |
入库方式： OAI收割
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