SOI在高压器件中的应用
文献类型：会议论文
| 作者 | 王石冶 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 林成鲁 ; 宋志棠 |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 第五届中国功能材料及其应用学术会议Ⅱ |
| 会议日期 | 2004 |
| 关键词 | SOI 高压器 击穿电压 |
| 中文摘要 | 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURFLDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5900256.aspx |
| 会议录 | 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55952]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王石冶,刘卫丽,张苗,等. SOI在高压器件中的应用[C]. 见:第五届中国功能材料及其应用学术会议Ⅱ. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5900256.aspx. |
入库方式： OAI收割
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