太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 曹俊诚 |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 |
| 会议日期 | 2004 |
| 关键词 | 太赫兹辐射 异质结 碰撞离化 吸收率 |
| 中文摘要 | 通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越底的THz辐照对二维半导体输运的影响越大.计算的辐照频率为0.64THz的电磁辐射在InAs/AlSb异质结的吸收率与实验结果吻合很好. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5705662.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55971]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹俊诚. 太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究[C]. 见:第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5705662.aspx. |
入库方式： OAI收割
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