高阻SOI在射频电路中的应用优势
文献类型：会议论文
| 作者 | 骆苏华 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 刘奇斌 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | 高阻SOI 射频电路 RF电路性能 |
| 中文摘要 | 本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203759.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55990]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 骆苏华,刘卫丽,张苗,等. 高阻SOI在射频电路中的应用优势[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203759.aspx. |
入库方式： OAI收割
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