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SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究

文献类型:会议论文

作者林青 ; 朱鸣 ; 吴雁军 ; 张正选 ; 林成鲁
出版日期2003
会议名称第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
会议日期2003
关键词热载流子效应 模拟研究 SOI MOS器件 器件模拟
中文摘要本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203758.aspx
会议录第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55993]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
林青,朱鸣,吴雁军,等. SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203758.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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