用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜
文献类型：会议论文
| 作者 | 邢玉梅 ; 陶凯 ; 俞跃辉 ; 宋朝瑞 ; 郑志宏 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | IBED方法 SOI 氧化铪薄膜 离子束辅助增强沉积系统 X射线衍射技术 电介质绝缘性能 |
| 中文摘要 | 采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了靶材及氧化铪薄膜退火前后的成分与化学配比,电子结合状态情况;最后采用扩展电阻测量法分析了氧化铪薄膜的电介质绝缘性能. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203744.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55996]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢玉梅,陶凯,俞跃辉,等. 用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203744.aspx. |
入库方式： OAI收割
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