超薄SOI上应变锗硅材料的生长
文献类型：会议论文
| 作者 | 狄增峰 ; 张苗 ; 吴雁军 ; 安正华 ; 朱鸣 ; 刘卫丽 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | 超薄SOI 锗硅材料 SiGe薄膜 |
| 中文摘要 | 超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为"容忍型衬氏".薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,我们成功的利用超高真空化学气相沉积(UHVCVD)在超薄SOI衬底上生长了厚度110nm高质量的应变Si<,0.82>Ge<,0.18>薄膜,超过了在体Si上外延同样薄膜的临界厚度.剖面透射电镜结果表明SiGe薄膜中无位错,SiGe/Si界面陡直.X射线衍射和Ram |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203353.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55999]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 狄增峰,张苗,吴雁军,等. 超薄SOI上应变锗硅材料的生长[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203353.aspx. |
入库方式： OAI收割
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