SOIM新结构与自加热效益
文献类型：会议论文
| 作者 | 谢欣云 ; 林青 ; 刘卫丽 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | SOIM 自加热效益 MEDICI软件 SOIM器件 氮氧离子共注入方法 |
| 中文摘要 | 为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.用MEDICI软件对新SOIM器件进行模拟,结果表明这种新结构能有效降低自加热效应,提高了SOI MOSFET的漏电流. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5202475.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56001]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢欣云,林青,刘卫丽,等. SOIM新结构与自加热效益[C]. 见:第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5202475.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。