用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构
文献类型：会议论文
| 作者 | 成海涛 ; 杨恒 ; 王跃林 |
| 出版日期 | 2009 |
| 会议名称 | 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 |
| 会议日期 | 2009 |
| 关键词 | 金属氧化物半导体 纳米梁 位移检测 压阻结构 |
| 中文摘要 | 提出一种新颖的MOS电容下压阻检测方案。MOS电容耗尽层下的掺杂区被用作力敏电阻来检测梁内应力，绕过了在纳米梁上进行高浓度、浅结深地掺杂这一障碍。在栅极施加偏置电压后，耗尽区宽度达到最大且仅与掺杂浓度有关，形成非对称的电阻结构，其对栅压的波动不敏感，相比于MOS沟道压阻方案更抗干扰。设计工艺流程和参数后，基于双端固支梁，制作了这种MOS电容下压阻检测结构。电学测量结果显示压阻厚度65.8nm，与测量计算结果63.8nm相吻合，表明了实验结果同理论计算的一致性。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7207116.aspx |
| 会议录 | 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56003]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成海涛,杨恒,王跃林. 用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构[C]. 见:第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7207116.aspx. |
入库方式： OAI收割
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