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用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构

文献类型:会议论文

作者成海涛 ; 杨恒 ; 王跃林
出版日期2009
会议名称第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
会议日期2009
关键词金属氧化物半导体 纳米梁 位移检测 压阻结构
中文摘要提出一种新颖的MOS电容下压阻检测方案。MOS电容耗尽层下的掺杂区被用作力敏电阻来检测梁内应力,绕过了在纳米梁上进行高浓度、浅结深地掺杂这一障碍。在栅极施加偏置电压后,耗尽区宽度达到最大且仅与掺杂浓度有关,形成非对称的电阻结构,其对栅压的波动不敏感,相比于MOS沟道压阻方案更抗干扰。设计工艺流程和参数后,基于双端固支梁,制作了这种MOS电容下压阻检测结构。电学测量结果显示压阻厚度65.8nm,与测量计算结果63.8nm相吻合,表明了实验结果同理论计算的一致性。
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7207116.aspx
会议录第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56003]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
成海涛,杨恒,王跃林. 用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构[C]. 见:第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7207116.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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