H<'+>注入对LiTaO<,3>单晶结构的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘卫丽 ; 万青 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | LiTaO< 3> 单晶结构 LiTaO< 3> 单晶 电声学性能 抗高温性能 压电性能 |
| 中文摘要 | 二十一世纪的微电子科学与技术,将使高度集成的IC发展到将整个系统集成在一个系统芯片SOC(System on a chip)上.SOC技术的基础就是材料的集成,将各种不同性能,不同用途的材料与半导体材料结合起来,以此来完成整个系统的性能优化.LiTaO<,3>单晶具有良好的电声学性能,包括这种晶体制成的器件具有良好的抗高温性能,不退磁,不溶于水,化学性质稳定,具有良好的压电性能,机电藕合系数高,声学传输损耗低,是优良的传声介质和高频换能器的材料,广泛应用于电光器件、激光倍频器、声光器件、高频声 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203635.aspx |
| 会议录 | 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56010]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘卫丽,万青,林成鲁. H<'+>注入对LiTaO<,3>单晶结构的影响[C]. 见:第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203635.aspx. |
入库方式： OAI收割
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