SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备
文献类型：会议论文
| 作者 | 安正华 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | SIMOX制备 化学气相淀积 Si衬底 退火工艺 SiGeOI结构 |
| 中文摘要 | SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶Si<,0.86>Ge<,0.14>层,然后向样品中注入60keV、3×10<'17>cm<'-2>的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5202774.aspx |
| 会议录 | 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56015]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安正华,刘卫丽,张苗,等. SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备[C]. 见:第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5202774.aspx. |
入库方式： OAI收割
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