用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力
文献类型：会议论文
| 作者 | 毕大炜 ; 张正选 ; 张帅 ; 俞文杰 ; 陈明 |
| 出版日期 | 2009 |
| 会议名称 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 |
| 会议日期 | 2009 |
| 关键词 | 总剂量辐射效应 晶体管 注氧隔离 绝缘体上硅 加固工艺 注硅加固材料 |
| 中文摘要 | 本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行了10kevX射线总剂量辐照实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOX材料的抗总剂量辐射能力，同时也表明Pseudo-MOS方法能有效的替代实际的MOS晶体管对材料的总剂量辐射效应进行表征. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226022.aspx |
| 会议录 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56044]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕大炜,张正选,张帅,等. 用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226022.aspx. |
入库方式： OAI收割
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