离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理
文献类型：会议论文
| 作者 | 李金华 ; 袁宁一 |
| 出版日期 | 2003 |
| 会议名称 | 光电子技术与信息/2003.8增刊 |
| 会议日期 | 2003 |
| 关键词 | 二氧化钒薄膜 离子束增强沉积 成膜机理 |
| 中文摘要 | 设计了一种用离子束增强沉积制备高性能VO<,2>薄膜的新方法.在溅射V<,2>O<,5>粉末靶的同时,用氩、氢混合束,对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500°C以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4﹪的VO<,2>薄膜.成膜机理是,利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V<,2>O<,5>的V-O键断裂;利用注入氢的还原效应将V<,2>O<,5>转换成VO<,2>薄膜.利用轰击效应使薄膜致密;利用 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4504620.aspx |
| 会议录 | 光电子技术与信息/2003.8增刊
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56046]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金华,袁宁一. 离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理[C]. 见:光电子技术与信息/2003.8增刊. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4504620.aspx. |
入库方式： OAI收割
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