浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘张李 ; 张正选 ; 毕大炜 ; 张帅 ; 田浩 ; 俞文杰 ; 陈明 ; 王茹 |
| 出版日期 | 2009 |
| 会议名称 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 |
| 会议日期 | 2009 |
| 关键词 | 控制电路 存储单元 总剂量辐射效应 电荷损失 浮栅存储器 |
| 中文摘要 | 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论，主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出：总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷，引起浮栅上电荷的变化。 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226019.aspx |
| 会议录 | 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56062]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘张李,张正选,毕大炜,等. 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7226019.aspx. |
入库方式： OAI收割
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