GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究
文献类型:会议论文
作者 | 李志怀 ; 夏冠群 ; 程宗权 ; 伍滨和 ; 黄文奎 |
出版日期 | 2002 |
会议名称 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
会议日期 | 2002 |
关键词 | GaInAsSb 红外探测器 硫钝化 电学特性 光学特性 |
中文摘要 | 通过对(NH<,4>)<,2>S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10<'10>cmH<,2><'1/2>/W. |
会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101084.aspx |
会议录 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56084] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志怀,夏冠群,程宗权,等. GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101084.aspx. |
入库方式: OAI收割
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