SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 朱朝嵩 ; 张有涛 ; 夏冠群 ; 惠峰 |
| 出版日期 | 2002 |
| 会议名称 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2002 |
| 关键词 | 阈值电压 均匀性 半导体材料 砷化镓 |
| 中文摘要 | 本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的均匀性,可以反映整个圆片的阈值电压均匀性.PL mapping测试技术是GaAs数字电路研究、生产的有效测试手段. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101083.aspx |
| 会议录 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56088]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱朝嵩,张有涛,夏冠群,等. SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101083.aspx. |
入库方式： OAI收割
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