(NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 张雄 ; 李爱珍 ; 林春 ; 郑燕兰 ; 许刚毅 |
| 出版日期 | 2002 |
| 会议名称 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2002 |
| 关键词 | 探测器 暗电流 钝化方法 钝化处理 |
| 中文摘要 | 本文研究了(NH<,4>)<,2>S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH<,4>)<,2>S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101082.aspx |
| 会议录 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56089]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雄,李爱珍,林春,等. (NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101082.aspx. |
入库方式： OAI收割
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