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(NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响

文献类型:会议论文

作者张雄 ; 李爱珍 ; 林春 ; 郑燕兰 ; 许刚毅
出版日期2002
会议名称第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期2002
关键词探测器 暗电流 钝化方法 钝化处理
中文摘要本文研究了(NH<,4>)<,2>S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH<,4>)<,2>S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级.
会议网址http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101082.aspx
会议录第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种中文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56089]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张雄,李爱珍,林春,等. (NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101082.aspx.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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