CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 张楷亮 ; 王良咏 ; 宋志棠 ; 封松林 |
| 出版日期 | 2006 |
| 会议名称 | 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会 |
| 会议日期 | 2006 |
| 关键词 | 胶体二氧化硅 研磨料 抛光效率 水玻璃 离子交换 分水控制 粒径生长 纳米磨料 |
| 中文摘要 | 低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并对其进行纯化研究。SEM结果表明:硅酸加料速度为影响粒径均匀的关键因素,适当加料速度下可以制得30～100nm范围内均匀分散的不同粒径的胶体二氧化硅研磨料。金属离子含量测试结果表明:通过离子交换纯化工艺可将胶体二氧化硅研磨料的金属离子含量降低至64.72ppm,低于国内外同类产品,为其在抛 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7101511.aspx |
| 会议录 | 第三届上海纳米科技与产业发展研讨会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56094]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楷亮,王良咏,宋志棠,等. CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究[C]. 见:第三届上海纳米科技与产业发展研讨会. 2006.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7101511.aspx. |
入库方式： OAI收割
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