<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 李冰寒 ; 夏冠群 ; 周健 ; 刘文超 |
| 出版日期 | 2002 |
| 会议名称 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2002 |
| 关键词 | 欧姆接触 离子注入 快速合金化 AuGeNi/Au 半导体器件 砷化镓 |
| 中文摘要 | 本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与<'29>Si<'+>注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与<'29>Si<'+>注入的剂量和能量无关,比接触电阻均在3×10<'-7>Ω·cm<'2>左右. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101039.aspx |
| 会议录 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56101]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李冰寒,夏冠群,周健,等. <'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101039.aspx. |
入库方式： OAI收割
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