GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 于广辉 ; 千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本) |
| 出版日期 | 2002 |
| 会议名称 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
| 会议日期 | 2002 |
| 关键词 | 低温缓冲层 半导体材料 氮化镓 化学气相淀积 外延生长 |
| 中文摘要 | 本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4100984.aspx |
| 会议录 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56111]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本). GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4100984.aspx. |
入库方式： OAI收割
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