等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 马小波 ; 詹达 ; 刘卫丽 ; 宋志棠 ; 沈勤我 ; 林梓鑫 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | 等离子体键合 低温SOI工艺 硼氢离子共注 |
| 中文摘要 | 为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表面的剥离情况.研究结果表明经适当N+等离子体低温处理后,经300℃低温处理1小时其键合能达5J/m2.B+/H+共注的硅片在300℃以内便可实现剥离.利用Smart-Cut技术,结合等离子体和B+/H+共注的技术制备出了高质量的SOI材料,原子力(AFM)测试结果表明顶层硅薄膜的粗糙度远低 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197147.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56145]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马小波,詹达,刘卫丽,等. 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197147.aspx. |
入库方式： OAI收割
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