Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘奇斌 ; 张楷亮 ; 王良咏 ; 封松林 ; 宋志棠 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | Ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学 抛光液 |
| 中文摘要 | Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI1287,主要测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位,动电位扫描.开路电位结果显示在PH值等于10时,出现钝化行为,当PH等于11时,钝化开始向活化转变,当PH为12时,薄膜一直处于活化状态.在动电位扫描过程中,在不同的PH值和H2O |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197096.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56148]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘奇斌,张楷亮,王良咏,等. Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6197096.aspx. |
入库方式： OAI收割
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