基于低温键合技术制备SOI材料的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 詹达 ; 马小波 ; 刘卫丽 ; 宋志棠 ; 林梓鑫 ; 沈勤我 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | SOI材料 等离子体活化 键合强度 低温键合 |
| 中文摘要 | 本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300℃,键合强度随退火温度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和smart-cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6196523.aspx |
| 会议录 | 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56151]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹达,马小波,刘卫丽,等. 基于低温键合技术制备SOI材料的研究[C]. 见:第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6196523.aspx. |
入库方式： OAI收割
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