1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 吴惠桢 ; 黄占超 ; 劳燕锋 |
| 出版日期 | 2004 |
| 会议名称 | 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 |
| 会议日期 | 2004 |
| 关键词 | GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP 多量子阱 垂直腔面发射激光器 物理特性 |
| 中文摘要 | 本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,620℃的键合过程和后续的剥离工艺过程不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5705644.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56178]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,黄占超,劳燕锋. 1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究[C]. 见:第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议. 2004.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5705644.aspx. |
入库方式： OAI收割
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