1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
文献类型:会议论文
作者 | 吴惠桢 ; 雷华平 ; 陈意桥 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
出版日期 | 2002 |
会议名称 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 |
会议日期 | 2002 |
关键词 | 垂直腔面发射激光器 发光特性 光荧光谱 |
中文摘要 | 论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性. |
会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101073.aspx |
会议录 | 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
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语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56214] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,雷华平,陈意桥,等. 1.3μm垂直腔面发射激光器的进展[C]. 见:第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2002.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_4101073.aspx. |
入库方式: OAI收割
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