应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 郑中山 ; 刘忠立 ; 张国强 ; 李宁 ; 李国花 ; 张恩霞 ; 张正选 ; 王曦 |
| 出版日期 | 2011 |
| 会议名称 | 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 |
| 会议日期 | 2011 |
| 关键词 | 埋氧层注氮工艺 SIMOX材料 离子注入 氮注入 抗辐射加固 C-V平带电压 |
| 中文摘要 | 研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由SIMOXSOI材料制作出的MOS电容进行辐照,并通过辐照前后高频C-V曲线的平带电压漂移,计算了平带时辐射产生的SiO2/Si界面处硅费米能级以上施主陷阱与界面附近氧化物空穴陷阱的密度之和.实验发现,应用离子注入工艺,将一定剂量的氮注入到SIMOX材料的埋氧层内能增强其抗辐射能力.但在注氮剂量一定的情况下,注氮所用的注入能 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6072278.aspx |
| 会议录 | 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56239]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑中山,刘忠立,张国强,等. 应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究[C]. 见:第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会. 2011.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6072278.aspx. |
入库方式： OAI收割
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