集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘文平 ; 宋达 ; 李铁 ; 李昕欣 ; 王跃林 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 中国机械工程 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | 硅纳米线 微电子机械系统 表面态 光生载流子 电学性质 |
| 中文摘要 | 本文采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3～15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线哌的电学特性受表面态的影响非常大.新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的I-V特性有着明显的不同. |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6022342.aspx |
| 会议录 | 中国机械工程
 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56248]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文平,宋达,李铁,等. 集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究[C]. 见:中国机械工程. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6022342.aspx. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。