硅的电化学深刻蚀技术
文献类型：会议论文
| 作者 | 王连卫 ; 吴俊徐 ; 陈瑜 |
| 出版日期 | 2005 |
| 会议名称 | 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 |
| 会议日期 | 2005 |
| 关键词 | 硅衬底 电化学深刻蚀 传感器 深反应离子刻蚀 阳极氧化 微纳米通道 |
| 中文摘要 | 在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)应用等MEMS(MicroElectroMechanical System:微机电系统)器件和光电子器件.目前通常使用的方法是深反应离子刻蚀技术(DRIE).由于这项技术的成本很高而且所能达到的深宽比有限所以需要开发一种新的技术来与之互补.近来,湿法的电化学深刻蚀技术因为其较低的设备和运行成本而受到业界的重视.并已经成为硅基二维光子晶体制备的主要方法之一.Ohji等人利用电化学深刻蚀 |
| 会议网址 | http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6250329.aspx |
| 会议录 | 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会论文集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56299]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王连卫,吴俊徐,陈瑜. 硅的电化学深刻蚀技术[C]. 见:第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6250329.aspx. |
入库方式： OAI收割
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