厚膜氮化镓材料的HVPE生长
文献类型：会议论文
| 作者 | 于广辉 ; 林朝通 ; 王新中 ; 曹明霞 ; 雷本亮 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 出版日期 | 2007 |
| 会议名称 | 第11届全国发光学学术会议论文摘要集 |
| 会议日期 | 2007 |
| 中文摘要 | GaN 基宽带隙半导体材料是发展高温大功率电子器件和紫外激光器件的最优选材料之一。至今为止．GaN 器件结构的外延生长主要采用 SiC、Al_2O_3和 Si 等作为衬底．但是 GaN 与上述几种材料相比存在较大的晶格失配和热失配,由于缺乏合适的衬底材料。目前外延生长的 GaN 材料中存在较高的缺陷密度,这已经成为了高温功率氮化镓器件研究和发展的一个瓶颈,而可用于同质外延的高质量 GaN 体材料却非常难以制备。氢化物气相外延(HVPE)是生长 GaN 外延材料的常用手段之一．具有设备简单、价格低廉、生长速 |
| 会议录 | 第11届全国发光学学术会议论文摘要集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56354]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,林朝通,王新中,等. 厚膜氮化镓材料的HVPE生长[C]. 见:第11届全国发光学学术会议论文摘要集. 2007. |
入库方式： OAI收割
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