SOI中砷注入退火研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 施左宇 ; 朱文化 ; 杨云洁 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 1992 |
| 会议名称 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集 |
| 会议日期 | 1992 |
| 中文摘要 | 本文研究了离子注入As在SIMOX材料中的扩散行为。通过对各种剂量(10~(14)-- 10~(16)As~+cm~2)与不同退火条件样品的测量与模拟,证实了SIMOX中间氧化层对As杂质扩散起到极好的阻挡作用。1×10~(16)/cm~2As~+注入退火后载流子峰值浓度接近1×10~(20)/cm~3。结果表明,快速热退火性能优于常规退火,杂质激活率更高。 |
| 会议录 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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| 会议录出版者 | 中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56542]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施左宇,朱文化,杨云洁,等. SOI中砷注入退火研究[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992. |
入库方式： OAI收割
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