光电、微波功能材料——磷化铟
文献类型：会议论文
| 作者 | 谭礼同 |
| 出版日期 | 1992 |
| 会议名称 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集 |
| 会议日期 | 1992 |
| 中文摘要 | <正>1前言化合物半导体磷化铟是继硅、砷化镓后的重要材料,由于InGaAsP/InP系材料的光电器件工作波长符合石英光纤低损耗色散窗口,另外,InGaAs材料的室温电子迁移率和最大漂移速度远大于硅和砷化镓材料,而且其禁带宽度较大,其器件是以在室温下稳定工作,因此,它们分别是制作光通信用光电器件的基础材料和制造高速电子器件的较理想的材料。 |
| 会议录 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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| 会议录出版者 | 中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56558]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭礼同. 光电、微波功能材料——磷化铟[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992. |
入库方式： OAI收割
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