SIMOX上外延层的TEM研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 倪如山 ; 朱文化 ; 林成鲁 |
| 出版日期 | 1993-03 |
| 会议名称 | 第七次全国电子显微学会议论文摘要集 |
| 会议日期 | 1993-03 |
| 中文摘要 | <正> 氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs |
| 会议录 | 第七次全国电子显微学会议论文摘要集
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| 会议录出版者 | 《电子显微学报》编辑部 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56594]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪如山,朱文化,林成鲁. SIMOX上外延层的TEM研究[C]. 见:第七次全国电子显微学会议论文摘要集. 1993-03. |
入库方式： OAI收割
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