Bi系超导体氧行为的内耗研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 陈廷国 ; 张留碗 ; 陈源 |
| 出版日期 | 1996-07 |
| 会议名称 | 内耗与超声衰减——第四次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集 |
| 会议日期 | 1996-07 |
| 中文摘要 | <正>迄今发现的高 Tc 超导体都是一些含有氧缺陷的氧化物,其结构和性能与含量密切相关。然而在这些超导体中,氧离子或氧缺陷存在着多种占位状态,为了深入理解超导机制,弄清哪些氧离子直接影响超导电性则是人们极为关注的问题。由于内耗对缺陷极为敏感,本文利用低频内耗测试,并辅以霍耳和电阻率测试,以期给出铋系超导体中氧缺陷的状态和运动过程。所有实验试样均为单相,由固相反应法制取,其组成分别为： |
| 会议录 | 内耗与超声衰减——第四次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集
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| 会议录出版者 | 中山大学出版社 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56656]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈廷国,张留碗,陈源. Bi系超导体氧行为的内耗研究[C]. 见:内耗与超声衰减——第四次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集. 1996-07. |
入库方式： OAI收割
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