退火温度对Ge-SiO_2簿膜的结构和发光特性的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 汤乃云 ; 吴雪梅 ; 叶春暖 ; 诸葛兰剑 ; 俞跃辉 ; 姚伟国 |
| 出版日期 | 2001 |
| 会议名称 | 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集 |
| 会议日期 | 2001 |
| 中文摘要 | 用射频磁控溅射制备了Ge-SiO_2薄膜。在N_2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理。使用X射线衍射谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)分析了样品的微结构,研究了样品在退火中发生的结构、组分的变化。PL测试结果表明,所有样品都发出很强的394nm的紫光,随退火温度的升高,当有Ge晶粒出现时,样品有580nm的黄光发出。EL测试结果表明,所有样品均只有一个位于510nm的发光峰。在不同退火温度下,PL和EL峰的峰位均保持不变,峰强随退火温度的变化有所改变。 |
| 会议录 | 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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| 会议录出版者 | 重庆仪表材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料学会、《功能材料》编辑部、国家仪表功能材料工程技术研究中心 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56664]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤乃云,吴雪梅,叶春暖,等. 退火温度对Ge-SiO_2簿膜的结构和发光特性的影响[C]. 见:第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 2001. |
入库方式： OAI收割
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