Ge-SiO_2薄膜的发光研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 叶春暖 ; 汤乃云 ; 董业民 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 余跃辉 ; 姚伟国 |
| 出版日期 | 2001 |
| 会议名称 | 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集 |
| 会议日期 | 2001 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO_2薄膜,在N_2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.对薄膜的结构进行T表征,通过XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nm的发光是由GeO缺陷引起的,580nm的发光与SiO_x(x<2)中的某种发光中心相联系. |
| 会议录 | 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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| 会议录出版者 | 重庆仪表材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料学会、《功能材料》编辑部、国家仪表功能材料工程技术研究中心 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56666]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶春暖,汤乃云,董业民,等. Ge-SiO_2薄膜的发光研究[C]. 见:第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 2001. |
入库方式： OAI收割
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