SOI圆片线位错和针孔密度及PIII新技术的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 郑望 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2001 |
| 授予单位 | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | SOI SIMOX Secco Cu-plating PIII |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | SOI（Silicon On Insulator）是指绝缘材料上的硅。同体硅相比，它具有以下 优点：降低功耗：最高可达80％；提高集成密度：～50％；减少工艺步骤：～30％； 低驱动电压：可实现1V以下驱动；提高运行速度：在相同的驱动电压下，速 度可提高20～35％；拓宽器件工作温度范围：-273—350℃，最高可达500℃；优 异的抗辐照性能，减小软误差2～3倍；降低电路造价等。SOI技术实现了“摩 尔”图上的跳跃，突破了体硅及其集成电路的限制，将逐步取代体硅成为CMOS 等的主流技术，被国际上公认为是 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82456]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑望 . SOI圆片线位错和针孔密度及PIII新技术的研究[D]. 中国科学院上海冶金研究所 . 2001. |
入库方式： OAI收割
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