0.18 微米自对准分栅闪存的工艺、器件与可靠性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 董耀旗 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 分栅闪存 闪存耐久性 闪存微缩 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 半导体闪存具有非易失性、可电擦除以及存储密度高等特点，目前广泛应用于 各种数据与代码存储领域。分栅闪存作为半导体闪存的一个分支，由于其无“过擦 除效应”、编程效率高、擦除电压低和外围电路简单等优点，非常适用于低密度代码 存储与嵌入式闪存领域，因此得到了广泛研究。然而，分栅闪存已经发展到0.18 微 米自对准工艺，而已有的研究大部分仍然基于0.35 微米至0.25 微米的非自对准工艺。 因此，对于0.18 微米自对准分栅闪存进行系统研究，具有非常重要的学术意义与实 用价值。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82459]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董耀旗. 0.18 微米自对准分栅闪存的工艺、器件与可靠性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
入库方式： OAI收割
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