相变材料的化学机械抛光工艺研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 钟旻 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储器 Ge2Sb2Te5 化学机械抛光工艺 Si2Sb2Te5 工艺集成 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为了实现相变随机存储器(PCRAM)的产业化，关键是低压低功耗和高密度 存储单元的工程化研究。要制备出纳米尺度的相变单元，与之相关的相变材料化 学机械抛光工艺 (CMP) 是关键技术之一。本文围绕这一关键技术展开，取得了 以下几方面的结果： |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82521]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟旻. 相变材料的化学机械抛光工艺研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。