硫系化合物随机存储器关键相变材料与器件单元工艺研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘波 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 硫系化合物随机存储器 相变材料 器件单元 电学性能 纳电子器件 离子注入 聚焦离子束 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文的主要内容包括以下几个方面的研究工作：Ge_2Sb_2Te_5相变材料的制备与性能表征；掺杂N、O、B对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构和电学性能的影响；C—RAM器件单元制备工艺与电学性能表征等。 首先，本文全面综述了硫系化合物随机存储器C—RAM的研究进展，简单介绍了其记录原理、发展历程和应用前景，详细论述了C—RAM的特点、相变材料和发展趋势，重点叙述了C—RAM的结构设计、器件单元纳米化的措施和器件工艺过程中的几个关键问题等内容。 通过优化工艺，制备出了质量优良、能够满足C—RAM器件需要的G |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82539]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波 . 硫系化合物随机存储器关键相变材料与器件单元工艺研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2004. |
入库方式： OAI收割
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