AIN、ta-C薄膜制备及其在SOI技术中的应用研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 宋朝瑞 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 俞跃辉 ; D.S.Shen |
| 关键词 | SOI 电热模型 自加热效应 离子束增强沉积 真空磁过滤弧源沉积 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域，但由于其SiO_2绝缘埋层的自热效应，使其在高温高功率器件中的应用受到局限。科学家们已经对此问题进行了大量的研究，并提出了一些可行性方案。为解决此间题，本文提出采用热传导性能较好的绝缘层取代SiO_2薄膜来解决。 为开发具有不同绝缘层材料的新型SOI材料和技术，我们首先针对传统SOI结构以及新型SOI结构，建立了适用于“电-热-结构”分析的电热模型，并分析了温度变化对迁移率、载流子浓度、阈值电压、源漏特性等SOI器件主要电学特性参数的影响情况，发现温度升高将使器 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82544]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋朝瑞 . AIN、ta-C薄膜制备及其在SOI技术中的应用研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。