SiGe-OI新材料制备及其应用的探索研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 安正华 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 张苗 |
| 关键词 | 锗硅 绝缘层上的硅 绝缘层上锗硅 离子注入 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | SiGe-On-Insulator (SiGe-OI)是微电子技术领域的前沿技术，它结合SiGe和SOI两种技术的优势，在将来高速、低耗、高密集成电路以及光电集成、系统级芯片(System-On-Chip)等方面有着重要的应用前景。但是，SiGe-OI的材料研究困难重重，目前还处于起步阶段。本论文结合以上背景，主要进行了以下几个方面的研究：一、硅基上SiGe材料的异质外延生长技术，以及SiGe薄膜的表征；二、SiGe-OI的SIMOX制备工艺研究；三、SiGe-OI材料的Smart-cut制备工艺研究，以 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82551]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安正华 . SiGe-OI新材料制备及其应用的探索研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
入库方式： OAI收割
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