低功耗、多存储态新型相变存储单元的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 饶峰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 相变存储单元 加热层 低功耗 三级存储 热稳定性 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 相变存储器(Phase change memory－PCM)是目前最具潜力的下一代非易失性存储器，降低相变存储单元(PCM cell)的功耗和实现高密度存储已成为业界研究的热点。本论文通过优化传统T型PCM cell纳米尺度结构，使用几种新型纳米加热层薄膜，有效提高了单元的加热效率，降低了操作功耗。于单一PCM cell中使用双层纳米相变材料薄膜结构，成功实现了三级数据存储态，并就中间电阻态的形成与稳定机制进行了研究，为多层相变材料薄膜中获得稳定的多级存储态提供了理论依据。主要创新成果包括： 1. 开发了 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 149 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82588]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶峰. 低功耗、多存储态新型相变存储单元的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。