碳纳米管在硅基衬底上的化学气相沉积生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李聃 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王跃林 |
| 关键词 | 碳纳米管 化学气相沉积 多孔硅 压力传感器 AFM针尖 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 碳纳米管具有独特的力学、电学性能，并且是典型的一维量子线，被认为是构筑未来微纳电子器件的主要材料。利用碳纳米管制造微纳电子器件的基础是实现碳纳米管在硅晶片衬底表面的有序生长，这也是实现碳纳米管生长工艺与传统的硅工艺集成的必要条件。为此本论文对碳纳米管在硅晶片衬底表面的生长这一基础课题进行了研究，并在此基础上探讨了实现微纳电子器件的可行性。 首先，在在硅晶片衬底表面制备了垂直定向生长的碳纳米管阵列。采用二甲苯为碳源，二茂铁为催化剂，Ar气和H_2气作为载气，制备的碳纳米管管径均匀，晶化和定向性良好。 其次， |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82596]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李聃 . 碳纳米管在硅基衬底上的化学气相沉积生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。