半导体子带间动力学及THz振荡源研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张拥华 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 太赫兹 共振隧穿结 太赫兹开关 布洛赫振荡 子带间光吸收 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 太赫兹(THz)辐射下的半导体子带间动力学过程和半导体THz振荡源是当前THz领域的研究热点。THz辐射可强烈影响低维半导体的量子态及其电学与光学特性，同时低维半导体子带间动力学特性也是THz源及相关器件的理论基础。本论文研究了低维半导体在THz场作用下的子带间输运和光学特性，并探索了基于共振隧穿结和超晶格结构的THz振荡源。主要研究内容和结论包括： 1．研究了共振隧穿结的THz开关特性。利用Wigner-Poisson耦合模型计算了双势垒共振隧穿结构的Ⅰ-Ⅴ曲线和瞬态电流密度，并研究了该结构在THz场作 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82604]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张拥华 . 半导体子带间动力学及THz振荡源研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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