CMP纳米抛光液及抛光工艺相关技术研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张楷亮 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 宋志棠 |
| 关键词 | 化学机械抛光 纳米研磨料 硅衬底 Ge-Sb-Te 电化学 湿法刻蚀 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 集成电路发展至0.25微米工艺之后，唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)已成为IC制程的关键工艺之一。更小特征尺寸工艺时代的发展对抛光液及抛光工艺应用技术提出苛刻的要求。本文针对IC衬底及GST薄膜的CMP需要，从以下几个方面开展了研究：大粒径纳米研磨料的制备及纯化；硅衬底的超精密CMP及抛光液；硫系化合物相变存储器(CRAM)器件中关键材料——相变材料Ge-Sb-Te(GST)的CMP、电化学及湿法刻蚀等。 本论文针对IC工艺急需的大粒径胶体二氧化硅纳米研磨料及粒径生长控制技术进行系统研究，形 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82609]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楷亮 . CMP纳米抛光液及抛光工艺相关技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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