离子注入SOI材料的总剂量辐照效应研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 张恩霞 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | SOI 氧氮共注 SIMOX 总剂量辐照效应 Pseudo-MOS |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 由于SOI材料中绝缘埋层(BOX)的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOX SOI材料的抗总剂量水平，本论文对SIMOX SOI材料进行改性，并比较研究了其对总剂量辐照效应的影响及其机理，利用Pseudo-MOS方法对SIMOX SOI材料总剂量辐照效应进行了研究。 采用两种不同的工艺制备了改性SOI材料，即氧氮共注(SIMON)工艺、注氮改性工艺。利用截面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)、X光电子能谱(XPS)及电子顺磁共振(EPR)等手段研究了S |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82612]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张恩霞 . 离子注入SOI材料的总剂量辐照效应研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
入库方式： OAI收割
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